На рисунке изображен внешний вид библиотечного транзистора (а), затвора транзистора (б); фрагмент индуктивности с воздушными мостами (в)
 
 

Сотрудники Центра радиофотоники и СВЧ технологий ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ совместно с коллегами из Томска завершили разработку библиотеки СВЧ элементов и комплекта документации для проектировщиков (PDK), предназначенную для построения малошумящих СВЧ микросхем на основе GaAs РНЕМТ гетероструктур в диапазоне частот до 20 ГГц. Работа опубликована в ведущем зарубежном издании Electronics - PDF Version.

Развитие технологий СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) требует создания стандартных технологических процессов. Поэтому одним из направлений работы Центра радиофотонных и СВЧ технологий НИЯУ МИФИ стала разработка базового технологического процесса 0.15 мкм РНЕМТ для малошумящих приложений и библиотеки элементов.

Технологический процесс полностью реализован в НИЯУ МИФИ на оригинальной гетероструктуре и позволяет сформировать как активные, так и пассивные элементы в планарном интегральном исполнении – наборы транзисторов, меза- резисторов и TaN резисторов, конденсаторов, индуктивностей, а также контрольные элементы для верификации библиотечных моделей.

Исследователям удалось создать транзисторы, не уступающие по параметрам зарубежным аналогам. По результатам проведенных измерений они построили модели в системе автоматизированного проектирования AWR Microwave Office, учитывающие как электрические параметры, так и топологию элементов.

Полученные результаты могут найти применение как в учебном процессе, так и для разработки СВЧ микросхем на основе GaAs по принципу fabless-проектирования.

Работа выполнена по заказу индустриального партнера МИФИ - АО «ПКК Миландр», Зеленоград. Методология построения библиотеки элементов развита и выполнена специалистами ООО «50 Ом Технолоджиз», г. Томск.